ТРАНЗИСТОРЫ

Сортировать по: наименованию (возр | убыв), цене (возр | убыв), количеству (возр | убыв)
Наименование товара Количество Цена опт. руб. Цена мелкоопт. руб.
2N4403 Blue Rocket Биполярный транзистор PNP, -40 В, -0,6 А, TO-92 2N4403 Blue Rocket Биполярный транзистор PNP, -40 В, -0,6 А, TO-92 дата поступления:
2024-04-12
2SA1837 JSMSEMI биполярный транзистор PNP, -230 В, -1 А, TO-220F 2SA1837 JSMSEMI биполярный транзистор PNP, -230 В, -1 А, TO-220F 950 27.66 29.43
2SB817 Blue Rocket биполярный транзистор PNP, -130 В, -12 А, TO-3PN 2SB817 Blue Rocket биполярный транзистор PNP, -130 В, -12 А, TO-3PN 1000 98.3 104.57
2SK1317-E, Полевой N-канальный транзистор Renesas Electronics Corporation, 1500В, 2.5А,  100Вт, корпус TO-3P-3(SC-65-3) 2SK1317-E, Полевой N-канальный транзистор Renesas Electronics Corporation, 1500В, 2.5А, 100Вт, корпус TO-3P-3(SC-65-3) 442 366.92 390.34
BCV27 JSCJ Биполярный транзистор NPN, 30 В, 0.5 А, SOT-23 BCV27 JSCJ Биполярный транзистор NPN, 30 В, 0.5 А, SOT-23 21000 3.06 3.26
BSS123 HXY полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 100 В, 0.17 А, 6 Ом, SOT-23 BSS123 HXY полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 100 В, 0.17 А, 6 Ом, SOT-23 30000 1.29 1.37
BSS138NH6327 полевой транзистор (MOSFET), N-канал, SOT-23 BSS138NH6327 полевой транзистор (MOSFET), N-канал, SOT-23 12000 1.22 1.3
IRFB4115 HXY полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 150 В, 120 А, 11.5 мОм, 45 нКл, TO-220 IRFB4115 HXY полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 150 В, 120 А, 11.5 мОм, 45 нКл, TO-220 250 80.25 85.37
IRFZ44NS HXY полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 55 В, 49 А, 13 мОм, 63 нКл, TO-263  (D2PAK) IRFZ44NS HXY полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 55 В, 49 А, 13 мОм, 63 нКл, TO-263 (D2PAK) 2200 32.11 34.16
IRLML0030 HXY полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 30 В, 5.8 А, 55 мОм, 10 нКл, SOT-23 IRLML0030 HXY полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 30 В, 5.8 А, 55 мОм, 10 нКл, SOT-23 30000 1.94 2.06
IRLML0100TRPBF HXY полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 100 В, 3 А, 248 мОм, SOT-23 IRLML0100TRPBF HXY полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 100 В, 3 А, 248 мОм, SOT-23 30000 2.34 2.49
IRLML2246TRPBF, Транзистор полевой P-канальный Infineon Technologies, 20В, 2.6А, 1.3Вт,  корпус TO-236-3 (Micro3™/SOT-23) IRLML2246TRPBF, Транзистор полевой P-канальный Infineon Technologies, 20В, 2.6А, 1.3Вт, корпус TO-236-3 (Micro3™/SOT-23) дата поступления:
2024-03-08
MMBT5551 Jingdao биполярный транзистор NPN, 180 В, 0.6 А, SOT-23 MMBT5551 Jingdao биполярный транзистор NPN, 180 В, 0.6 А, SOT-23 дата поступления:
2024-02-28
MMBTA42 Jingdao биполярный транзистор NPN, 300 В, 0.3 А, SOT-23 MMBTA42 Jingdao биполярный транзистор NPN, 300 В, 0.3 А, SOT-23 дата поступления:
2024-02-28
MMBTA92 Jingdao биполярный транзистор PNP, -300 В, -0.2 А, SOT-23 MMBTA92 Jingdao биполярный транзистор PNP, -300 В, -0.2 А, SOT-23 дата поступления:
2024-02-28
MPSA92 Blue Rocket Биполярный транзистор PNP, -300 В, -0,5 А, TO-92 MPSA92 Blue Rocket Биполярный транзистор PNP, -300 В, -0,5 А, TO-92 дата поступления:
2024-04-12
SI2300 HXY полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 20 В, 6 А, 27 мОм, SOT-23 SI2300 HXY полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 20 В, 6 А, 27 мОм, SOT-23 30000 1.45 1.54
SI2308A HXY полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 60 В, 2.5 А, 85 Ом, 2.1 нКл, SOT-23 SI2308A HXY полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 60 В, 2.5 А, 85 Ом, 2.1 нКл, SOT-23 15000 1.94 2.06
SI2309A HXY полевой транзистор (MOSFET), P-канал, -60 В, -1.6 А, 160 Ом, 11.3 нКл, SOT-23 SI2309A HXY полевой транзистор (MOSFET), P-канал, -60 В, -1.6 А, 160 Ом, 11.3 нКл, SOT-23 14500 3.21 3.41
SI2319 HXY полевой транзистор (MOSFET), P-канал, -40 В, -5 А, 85 Ом, 14 нКл, SOT-23 SI2319 HXY полевой транзистор (MOSFET), P-канал, -40 В, -5 А, 85 Ом, 14 нКл, SOT-23 21000 3.05 3.24
Наименование товара
Количество
Цена опт. руб.
Цена мелкоопт. руб.