Получите оптовую цену
При заказе от 5000 руб одного наименованияОплата по безналичному расчету
Счета от 1000руб.Транзистор IPD122N10N3GATMA1
Артикул: 31704
Возможны незначительные отличия фактического дизайна изделия от данного изображения
Количество на складе: 2480
Цена: 161.12 руб.
От 17 шт — 123.94 руб.
От 41 шт — 116.5 руб.
| Марка | Кол-во шт. | Норма упаковки |
|---|---|---|
| IPD122N10N3GATMA1 | 2480 | 10 |
Описание
Если Вы не нашли интересующую для Вас информацию на Транзистор IPD122N10N3GATMA1,присылайте запрос, и мы постараемся предоставить наиболее развернутое описание с техническими характеристиками, с габаритными размерами, весом, маркировкой, а также возможностью подбора аналогичной продукции отечественного производства.
| Производитель : | Infineon Technologies |
|---|---|
| Тип : | MOSFET |
| Тип проводимости : | N |
| Максимальное напряжение сток-исток, В : | 100 |
| Минимальное сопротивление открытого канала, мОм : | 12,2 |
| Емкость, пФ : | 2500 |
| Заряд затвора, нКл : | 26 |
| Описание : | MOSFET N-CH 100V 59A TO252-3 |
| Напряжение : | пороговое затвора (Vgs th) - 3,5 В |
| Диапазон рабочих температур : | -55…+175 °С |
| Время : | задержки включения/ выключения - 24/ 14 нс |
| Максимально допустимое напряжение : | затвор-исток (Vgs) ± 20 В |
| Мощность : | рассеиваемая (Pd) - 94 Вт |
| Вес брутто : | 0.55 |
| Способ монтажа : | поверхностный (SMT) |
| Корпус : | TO-252 (DPAK) |
| Упаковка : | REEL, 2500 шт. |
Принимаем заказы на товары, не вошедшие в каталог
Оформить заявку Пришлите маркировку необходимого вам товара. Мы предоставим Вам наилучшие условия по поставке!