Транзистор IRF640NPBF

Артикул: 23098

Возможны незначительные отличия фактического дизайна изделия от данного изображения

Количество на складе: 0

Марка	Кол-во шт.	Норма упаковки
IRF640NPBF	0	0
IRF640NPBF	5000	дата поступления: 2026-01-15

Марка

Кол-во шт.

Норма упаковки

IRF640NPBF

5000

дата поступления:
2026-01-15

Просим Вас выписывать товар согласно норме упаковки(некоторый товар подлежит расфасовке)

Описание

Если Вы не нашли интересующую для Вас информацию на Транзистор IRF640NPBF,присылайте запрос, и мы постараемся предоставить наиболее развернутое описание с техническими характеристиками, с габаритными размерами, весом, маркировкой, а также возможностью подбора аналогичной продукции отечественного производства.

Производитель :	Infineon Technologies
Тип :	MOSFET
Тип проводимости :	N
Максимальное напряжение сток-исток, В :	200
Максимальный ток стока (при Ta=25C), А :	18
Минимальное сопротивление открытого канала, мОм :	150
Заряд затвора, нКл :	67
Описание :	200V, 18A N-Channel MOSFET
Напряжение :	пороговое затвора (Vgs th) - 2В
Диапазон рабочих температур :	-55…+175 °С
Максимально допустимое напряжение :	затвор-исток (Vgs) ± 20 В
Мощность :	рассеиваемая (Pd) - 130 Вт
Вес брутто :	2.79
Транспортная упаковка: размер/кол-во :	594437/2000
Способ монтажа :	Through Hole
Корпус :	TO-220
Упаковка :	TUBE, 50 шт.

Принимаем заказы на товары, не вошедшие в каталог

Оформить заявку Пришлите маркировку необходимого вам товара. Мы предоставим Вам наилучшие условия по поставке!