Получите оптовую цену

При заказе от 5000 руб одного наименования

Оплата по безналичному расчету

Счета от 1000руб.

Микросхема TLV272IDR

Артикул: 62170
TLV272IDR (Микросхема) купить по цене от 55.78₽ в компании РУЭЛКОМ/ Характеристики, описание, размеры Возможны незначительные отличия фактического дизайна изделия от данного изображения

Технические характеристики на Микросхема TLV272IDR здесь

Количество на складе: 3219

Цена: 77.14 руб.

От 34 шт — 59.34 руб.

От 85 шт — 55.78 руб.

- +
Итого: 77.14 руб.
Марка Кол-во шт. Норма упаковки
TLV272IDR 19 19
TLV272IDR 3200 20
Марка
Кол-во шт.
Норма упаковки
TLV272IDR
19
19
TLV272IDR
3200
20

Просим Вас выписывать товар согласно норме упаковки(некоторый товар подлежит расфасовке)

Описание

Если Вы не нашли интересующую для Вас информацию на Микросхема TLV272IDR,присылайте запрос, и мы постараемся предоставить наиболее развернутое описание с техническими характеристиками, с габаритными размерами, весом, маркировкой, а также возможностью подбора аналогичной продукции отечественного производства.

Производитель :Texas Instruments
Описание :General Purpose Amplifier 2 Circuit
Тип :входа/ выхода - Rail-to-Rail
Потребляемый ток :625 мкА
Выходной ток :на канал - 13 мА
Коэффициент :подавления - синфазного сигнала (CMRR) - 80; - помех по питанию (PSRR) - 70 дБ
Вес брутто :0.24
Транспортная упаковка: размер/кол-во :60*50*50/2500
Мощность :396 мВт
Напряжение :синфазное (Vcm) - 1,35 В
Характеристика :(In) - плотность тока шума на входе - 0,0006 пА/ sqrt Гц
Напряжение питания :2,7…16; ± 1,35…± 8 В
Входное напряжение :(Vos) - входное напряжение смещения нуля - 5 мВ
Особенности :CMOS
Диапазон рабочих температур :-40…+125 °С
Усиление :по напряжению - 110 дБ
Входной ток :смещения (Ib) - 60 пA
Способ монтажа :поверхностный (SMT)
Корпус :SOIC-8
Упаковка :REEL, 2500 шт.
MSL(Уровень чувствительности к влажности) :1

Принимаем заказы на товары, не вошедшие в каталог

Оформить заявку Пришлите маркировку необходимого вам товара. Мы предоставим Вам наилучшие условия по поставке!